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在磁場一定時，載流子的遷移率越高，其磁阻效應(yīng)越明顯。當(dāng)材料中僅存在一種載流子時磁阻效應(yīng)幾乎可以忽略，此時霍爾接近開關(guān)效應(yīng)更為強列。在電子和空穴都存在的材料中，磁阻效應(yīng)很強。所以磁敏電阻通常選 用銻化銦、砷化銦、銻化鎳等半導(dǎo)體材料。磁阻效應(yīng)還與磁阻材料的形狀、尺寸密切相關(guān)。這種與磁阻材料的形狀、尺寸有關(guān)的磁阻效應(yīng)稱為磁阻效應(yīng)的幾何磁阻效應(yīng)。長方形磁阻器件只有在L<W的條件下，才表現(xiàn)出較高的靈敏度。長寬比L/W越小，其磁阻效應(yīng)也越明顯。實驗表明，圓盤狀的磁敏電阻的磁阻效應(yīng)最大。
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當(dāng)前位置：
