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光電開關傳感器的光電荷產生條件介紹
 
更新時間:2014.10.06 瀏覽次數:
 

  構成ccd的基本單元是mos電容器。與其他電容器一樣,mos電容器能夠存儲器電荷,如果mos電容器中的半導體是p型硅,當在金屬電極上施加一個正電壓ug時,p型硅中的多數載流子空穴受到排斥,半導體內的涒數流子電子被吸引到p-si界面處,從而在界面附近形成一個帶負電荷的耗盡區(qū),也稱表面勢阱,對帶負電的電子來說,耗盡區(qū)是個勢能很低的區(qū)域。

  如果有光照射在硅片上,在光子作用下,半導體硅產生了電子-空穴對,由此產生的光電開關傳感器的光生電子就被附近的勢阱所吸收,勢阱內所吸收的光生電子數量與入射到該勢阱附近的光強成正比,存儲器了電荷的勢阱被稱為電荷包,而同時產生的空穴被排斥出耗盡區(qū)。并且在一定的條件下,所加正電壓ug越大,耗盡層就越深,si表面吸收少數載流子表面勢半導體表面對于襯底的電勢差也越大,這時勢力阱所能容納的少數載流子電荷的量就越大。勢阱中電荷包大小主要決定于所加正電壓ug大小,入射到該勢阱附近的光強。后者是光強的模擬電荷,從而完成光轉換成電荷的過程。

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