隨半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了一批基于集成工藝的光電器件,如光位置傳感器、集成光敏對(duì)管和CCD、CMOS圖像器件以及色敏器件等。 1、光位置光電開關(guān)傳感器是當(dāng)光照射到硅光敏二極管的某一位置時(shí),結(jié)區(qū)產(chǎn)生的空穴向P層漂移,光生電子向N層漂移。到達(dá)P層額空穴分成兩部分:一部分沿表面電子R1流向1端形成光電流i1;另一部分沿表面電阻R2流向2端形成光流I2.當(dāng)電阻層均勻時(shí)是不受光強(qiáng)度變化影響。 光敏對(duì)管為滿足光電檢測中的差動(dòng)輸出等應(yīng)用需要,可將兩個(gè)光敏電阻對(duì)稱布置在同一光敏面上,也可將光敏三極管制成對(duì)管形式,構(gòu)成集成光敏器件。 光電池的集成工藝比較簡單,它不僅可制成兩元件對(duì)稱布置的形式,而且可制成多個(gè)元件的線陣或二維面陣。光敏元件陣列傳感器相對(duì)CCD圖像傳感器而言,每個(gè)元件都需要相應(yīng)的輸出電路,故電路較龐大,但是用HgCdTe元件、InSb等制成的線陣和面陣紅外傳感器,在紅外檢測領(lǐng)域中仍獲得較多的應(yīng)用。 |