電荷耦合攝像器件CCD的突出特點(diǎn)是以電荷為信號(hào)載體，不同于大多數(shù)以電流或電壓為信號(hào)的載體喊叫件。CCD的基本功能是電荷的存儲(chǔ)和電荷的轉(zhuǎn)移。因此CCD的基本工作過(guò)程主要是信號(hào)電荷的產(chǎn)生、存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移和檢測(cè)。
CCD有兩種基本類(lèi)型：一種是電荷包存儲(chǔ)在半導(dǎo)體與絕緣體之間的界面，并沿界面轉(zhuǎn)移，這類(lèi)器件稱(chēng)為表面溝道CCD;另一種是電荷包存儲(chǔ)在離半導(dǎo)體一定嘗試的體內(nèi)沿著一定方向轉(zhuǎn)移，這類(lèi)器件稱(chēng)為體溝道或埋溝道器件。下面詳細(xì)介紹CCD的基本工作原理：
CCD是一種以電荷包形式存儲(chǔ)和傳遞信息的半導(dǎo)體表面器件，是在MOS結(jié)構(gòu)電荷存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，所以有人將其稱(chēng)為排列起來(lái)的MOS電容陳列。一個(gè)MOS電容器是一個(gè)光敏元，可以感應(yīng)一個(gè)像素點(diǎn)，則一個(gè)圖像有多少個(gè)像素點(diǎn)，就需要多少個(gè)同樣的光敏元，即傳遞一幅圖像需要由許多MOS光敏元大規(guī)模集成的器件。
P型半導(dǎo)體MOS光敏元結(jié)構(gòu)是制備時(shí)先在P-SI片上氧化一層SIO2介質(zhì)層，其上的沉積一層金屬鋁作為柵極，在P-SI半導(dǎo)體上制作下電極。
其原理為：給柵極突然加一個(gè)VG正脈沖，在光電開(kāi)關(guān)的金屬電極板上就會(huì)充上一些正電荷，電場(chǎng)將P-SI中SIO2界面附近的空穴排斥走，在少數(shù)電子還未移動(dòng)到此區(qū)時(shí)，在SIO2附近出現(xiàn)耗盡層，耗盡區(qū)中的電離物質(zhì)為負(fù)離子，此時(shí)半導(dǎo)體表面處于非平衡狀態(tài)，表面區(qū)有表面電動(dòng)勢(shì)，若襯底電位為0，則表面處電子的靜電位能為-qs。 |
當(dāng)前位置：
