光電池實(shí)質(zhì)是一個(gè)大面積PN結(jié)，上電極為柵狀受光電極，柵狀電極下涂有抗反射膜，用以增加透光，減小反射，下電極是一層襯底鋁。當(dāng)光照射PN結(jié)的一個(gè)面時(shí)，電子空穴對(duì)迅速擴(kuò)散，在結(jié)電場(chǎng)作用下建立一個(gè)與光照強(qiáng)度有關(guān)的電動(dòng)勢(shì)，一般可產(chǎn)生0.2-0.6V電壓50MA電流。
光電開(kāi)關(guān)中光電池種類很多，有硒光電池、鍺光電池、硅光電池、砷化鎵、氧化銅等，其中硒光電池轉(zhuǎn)換效率較高，價(jià)格低廉、壽命長(zhǎng)，是使用較廣泛的一種光電池。砷化鎵光電池光譜響應(yīng)與太陽(yáng)光譜吃飽撐的合，耐高溫、耐宇宙射線，是宇航光電池的首選材料。
光電池的主要參數(shù)有開(kāi)路電壓、短路電流、暗電流、最大反向電壓、轉(zhuǎn)換效率等。
1、開(kāi)路電壓VOC。在一定光照下，硅光電池輸出端開(kāi)路時(shí)，所產(chǎn)生的光電子電壓。
2、短路電流ISC。在一定光照下，硅光電池所接負(fù)載電阻為零時(shí)，流過(guò)硅光電池的電流。
3、暗電流ID。在無(wú)光照的條件下，在硅光電池兩端施加反向電壓時(shí)所產(chǎn)生的電流。
4、最大反向電壓VRM。使用硅光電池時(shí)所允許加的極限反向電壓。
5、轉(zhuǎn)換效率。硅光電池輸出電能與輸入光能量的比例。 |
當(dāng)前位置：
