常用霍爾元件的材料有鍺、硅、砷化甸、銻化甸等半導體材料。其中N型鍺容易加工制造，其霍爾系數(shù)、溫度性能和線性度都較好。N型硅的線性度最好，相比光電開關參數(shù)有很大差異，而霍爾元件是其霍爾系數(shù)、溫度性能與N型鍺相近。銻化甸對溫度最敏感，尤其在低溫范圍內(nèi)溫度系數(shù)大，但在室溫時其霍爾系數(shù)較大。砷化甸的霍爾系數(shù)較小，溫度系數(shù)也較小，輸出特性線性度好。
霍爾元件的主要參數(shù)：
1、額定激勵電流和最大允許激勵電流：
在給霍爾元件加激勵電流時，霍爾元件的溫度升高10度，此時的激勵電流稱為額定激勵電流，用符號1C表示。當激勵電流增大時，霍爾電壓也會隨著增大。為了獲得較大的霍爾電壓，在應用中會采用較大的激勵電流，但是激勵電流過大，霍爾元件的功耗就會增大，霍爾元件的溫度升高，會引起霍爾電壓的溫度漂移增大，影響測量精度，因此各種型號的霍爾元件都規(guī)定了對應的最大激勵電流IM，它的數(shù)值從幾毫安至十幾毫安不等。
2、輸入電阻和輸出電阻：
霍爾元件兩個激勵電端的電阻被稱為輸入電阻RI，兩個霍爾電壓輸出端子之間的電阻被稱為輸出電阻RO。不同類型的霍爾元件，輸入電阻和輸出電阻的阻值一般從幾十歐姆到幾百歐姆不等。
3、不等位電動勢和不等位電阻：
不等位電動勢是指沒有外加磁場時，霍爾元件在額定激勵電流的作用下，霍爾元件輸出的開路電壓，一般用符號UM表示，產(chǎn)生這一現(xiàn)象的原因有：
A：霍爾電極安裝位置不對稱或不在同一等電位面上;
B：半導體材料不均勻造成了電阻率不均勻或是幾何尺寸不均勻;
C：激勵電極接觸不良造成激勵電流不均勻分布等。
4、寄生直流電動勢：
當外加磁場為零時，給霍爾元件通上交流電流，霍爾電極端子會輸出一個寄生直流電動勢，是由控制電極和基片之間的非完全歐姆接觸所產(chǎn)生的整流效應造成的。
5、霍爾電壓的溫度系數(shù)：
霍爾電壓的溫度系數(shù)A是指在一定磁感應強度和一定的控制電下，溫度每變化1度時，霍爾電壓產(chǎn)生的變化率。 |
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