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當(dāng)霍爾元件置于與電流方向垂直的磁場(chǎng)中時(shí)，會(huì)出現(xiàn)霍爾效應(yīng)，同時(shí)還會(huì)出現(xiàn)半導(dǎo)體電阻率增大的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象稱(chēng)為磁阻效應(yīng)。利用磁阻效應(yīng)做成的元件被稱(chēng)為磁阻元件。 針對(duì)于光電開(kāi)關(guān)傳感器的磁場(chǎng)有很不同的作用，而霍爾傳感器在沒(méi)有外加磁場(chǎng)作用時(shí)，電流方向?yàn)橹本€(xiàn)方向;在受到外加磁場(chǎng)作用后，電流的路徑增長(zhǎng)，電阻率就會(huì)增大，從而賣(mài)到電阻增大。 磁阻元件具有阻抗低、阻值隨磁場(chǎng)變化大、頻率響應(yīng)好、可非接觸式測(cè)量、動(dòng)態(tài)范圍廣及噪聲小等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)、壓力開(kāi)關(guān)、角度傳感器、轉(zhuǎn)速傳感器等場(chǎng)合。 霍爾傳感器的磁敏二極管的結(jié)構(gòu)是在高純度半導(dǎo)體鍺的兩端雜質(zhì)P型區(qū)和N型區(qū)，I區(qū)的范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于載流子擴(kuò)散的范圍，在I區(qū)的側(cè)面做一個(gè)高復(fù)合區(qū)R，在R區(qū)載流子的復(fù)合速率較大。 磁敏二極管在無(wú)磁場(chǎng)時(shí)，大部分空穴和電子分別流入N區(qū)和P區(qū)而產(chǎn)生電流，只有少部分在R區(qū)復(fù)合，此時(shí)I區(qū)有穩(wěn)定的阻值;若給磁敏二極管外加一個(gè)正向磁場(chǎng)B，空穴和電子受到洛倫茲力的作用偏向R區(qū)，在R區(qū)復(fù)合，此時(shí)I區(qū)的空穴和電子數(shù)量減少，導(dǎo)電能力減弱，電阻值增大，若給磁敏二極管外加一個(gè)反向磁場(chǎng)B，空穴和電子受到洛倫茲力的作用偏離R區(qū)，此時(shí)I區(qū)的空穴和電子數(shù)量增多，導(dǎo)電能力強(qiáng)，電阻值減小。 由于磁敏二極管在正、負(fù)磁場(chǎng)作用下輸出電阻不同，可以利用它來(lái)判斷磁場(chǎng)方向。 |
當(dāng)前位置：
